相变存储器（Phase Change Memory, PCM）是基于相变材料的新型非易失性存储技术，其数据存储原理是利用材料的晶态与非晶态的转变。与传统NAND闪存相比，PCM具有更快的读写速度、更高的耐用性和断电后数据保留的特点。